ICP RIE Ätzanlage

• Fachliche Zuordnung: Elektrotechnik und Informationstechnik
• Förderung: Förderung in 2024
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 536792788

Die Chip-Prozessierung von Si- und GaN-basierten Bauelementen ist eines der zentralen Alleinstellungsmerkmale des Instituts für Halbleitertechnik (IHT). Diese Technologie ist für die Herstellung mikro-opto-elektro-mechanischer Systeme und die Erforschung neuartiger Sensor- und Aktorelemente von großer Bedeutung. Für diese Zielsetzungen ist die präzise, reproduzierbare Bearbeitung von Dielektrika z.B. zur lateralen Strukturierung von Wafern oder der Bearbeitung als integrierte Dielektrika für photonische Module von fundamentaler Bedeutung. Oft bestimmt die Kombination aus hohem Aspektverhältnis, hoher Seitenwandqualität und präziser Nanostrukturerzeugung das Anforderungsprofil. Auch für photonische Systeme sind hohe Aspektverhältnisse sowie eine herausragende Oberflächenqualität und Strukturtreue Voraussetzungen für die Herstellung funktionaler Elemente, die sich nur durch ICP-RIE-Prozesse (inductively coupled plasma reactive ion etching) erreichen lassen.

• DFG-Verfahren: Forschungsgroßgeräte
• Großgeräte: ICP RIE Ätzanlage
• Gerätegruppe: 0910 Geräte für Ionenimplantation und Halbleiterdotierung
• Antragstellende Institution: Technische Universität Braunschweig
• Leiter: Professor Dr. Andreas Waag