Herstellung von polytypreinen defektarmen SiC-Volumenkristallen aus der flüssigen Phase

• Antragsteller: Dr.-Ing. Dieter Hofmann
• Fachliche Zuordnung: Theoretische Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2002 bis 2006
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5469528

Im Rahmen des geplanten Vorhabens sollen Untersuchungen zur Herstellung von defektarmen einkristallinen SiC-Schichten und Volumenkristallen mit definiertem Polytyp aus der flüssigen Phase (Lösung) durchgeführt werden. Dabei werden erstmals die Prozeßbedingungen analysiert, die zu stabilem Kristallwachstum eines bestimmten SiC-Polytyps bei der Lösungszüchtung führen. Am Lehrstuhl Werkstoffe der Elektrotechnik steht eine einzigartige Apparatur für die Untersuchungen zur SiC-Kristallisation aus der flüssigen Phase zur Verfügung. Diese Anlage ermöglicht die Prozeßführung bei hohen Temperaturen und hohen Drücken und erschließt somit einen neuen Parameterraum für die Züchtung von SiC-Kristallen unterschiedlicher Kristallmodifikation (4H, 6H, 15R) und niedrigerer Defektdichte aus der Schmelzlösung.

• DFG-Verfahren: Forschungsgruppen
• Teilprojekt zu: FOR 476: SiC als Halbleitermaterial: Alternative Wege in Züchtung und Dotierung
• Beteiligte Person: Professor Dr. Albrecht Winnacker