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Transportprozesse in stickstoffdotierten Oxiden

Fachliche Zuordnung Physikalische Chemie von Festkörpern und Oberflächen, Materialcharakterisierung
Förderung Förderung von 2002 bis 2010
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5384776
 
Ziel des Vorhabens ist die Untersuchung der thermodynamischen und kinetischen Vorgänge bei der Bildung von Oxidnitriden des Galliums sowie das Studium der physikalisch-chemischen Eigenschaften der Oxidnitride. Diese sollen sowohl durch Oxidation der intermetallischen Phase CoGa in stickstoff- und sauerstoffhaltigen Atmosphären als auch durch Stickstoff- bzw. Sauerstoffeinbau in Galliumoxid bzw. Galliumnitrid gebildet werden. Die Bestimmung der chemischen Zusammensetzung der gebildeten Produkte und die Identifikation von Phasen sollen mit Hilfe der Sekundärionenmassenspektrometrie (TOF-SIMS) und der Röntgenpulverdiffraktometrie (XRD) erfolgen. Die Kinetik der Phasenbildung soll mittels in situ XRD bei hohen Temperaturen und in definierten Gasatmosphären an Pulvern und an planaren Substraten studiert werden. Aus der Bildungskinetik sollen Rückschlüsse auf die zugrundeliegende Defektstruktur der Produkte und die Bildungsmechanismen gezogen werden. Die Festkörperreaktion zwischen Ga2O3 und GaN soll ebenfalls hinsichtlich der Bildung von Oxidnitriden studiert werden. Mit Hilfe der SIMS sollen Diffusionskoeffizienten für Kationen und Anionen bestimmt werden.
DFG-Verfahren Schwerpunktprogramme
 
 

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