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Herstellung von "Silicon-On-Insulator"-Schichten durch Ionenimplantation bei geringen Dosen in Kombination mit anschließenden Plasmabehandlungen
Antragsteller
Professor Dr.-Ing. John Thomas Horstmann
Fachliche Zuordnung
Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
Förderung
Förderung von 2003 bis 2008
Projektkennung
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5401297
Keine Zusammenfassung vorhanden
DFG-Verfahren
Sachbeihilfen