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Metallorganische Kupfer-Precursoren für Cu-ALD (Atomic Layer Deposition)

Fachliche Zuordnung Chemische und Thermische Verfahrenstechnik
Förderung Förderung von 2003 bis 2006
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5406451
 
Ziel des Kooperations-Projektes ist die Erforschung der precursorchemischen und verfahrenstechnischen Grundlagen für die Entwicklung eines technisch/industriell praktikablen Prozesses für Cu-ALD (atomic layer deposition) zur Implementation in Produktionszyklen von mikor- oder nanoelektrischen Bauelementen. Bochum leistet dazu Präparatin und Charakerisierung neuartiger, selbstreduzierender Cu-Precursor vorzugsweise auf der Basis von Cu(II)-Alkoxiden, bzw. u. U. auch gemischt substituierten Alkoxid/Amid bzw. Alkoxid(Amid)beta-Diketonatderivaten (z. B. Malonestern u. ä.). In Chonnam werden die ALD-Experimente durchgeführt und dabei insbesondre die Benetzungs- und Nukleationsphänomene untersucht, sowie die physikalischen (Morphologie, Stufenbedeckung, Vorzugsorientierung, Korngrößen etc.), chemischen und elektrischen Eigenschaften der Cu-Nanoschichten einschließlich der Grenzfläche ALD Cu und Substrat charakterisiert.
DFG-Verfahren Sachbeihilfen
Internationaler Bezug Süd-Korea
 
 

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