Defektdichten und Injektionsbarrieren in organischen Feldeffekt-Transistoren (OFETs): Vergleich von Röntgenbeugung und 4-Punkt Messungen (Transistor und Hallgeometrie)

• Antragsteller: Dr. Bert Nickel
• Fachliche Zuordnung: Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
• Förderung: Förderung von 2005 bis 2009
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5451866

Im Rahmen des vorgeschlagenen Projektes sollen (nano-)strukturierte, kristalline Dünnschicht-Transistorstrukturen hergestellt werden. Mittels Röntgenstrukturanalyse werden strukturelle Defektdichten und Details der molekularen Anordnung quantiziert, und mit den elektronischen Transporteigenschaften (Mobilität, Photostrom) korreliert. Vier-Punkt Messungen (Hall- und Transistor-Geometrie) sollen durchgeführt werden, um Kontaktwiederstand und Ladungsträgerdichten separat zu bestimmen. Als aktive Schicht soll Pentacene, Coronene und Tetrachlorperylendianhydrid zum Einsatz kommen (als Vertreter für stäbchenförmige, scheibenartige, und nicht-planare Pi-Systeme). Als Gatematerial werden Siliziumoxid auf hochdotiertem Si und optischtransparente Polymere (COC bzw. Topas) zum Einsatz kommen. Kontaktiert wird mittels (thiolisierten) Au-Kontakten. Das Projekt ist eine Kooperation innerhalb des Center for NanoSciences (CeNS) der Arbeitsgruppen von Bert Nickel (Streumethoden, Wachstum organischer Filme) und Udo Beierlein (Nanolithographie, elektrische Transportmessungen an nanoskaligen Systemen).

• DFG-Verfahren: Schwerpunktprogramme
• Teilprojekt zu: SPP 1121: Organische Feldeffekt-Transistoren: strukturelle und dynamische Eigenschaften
• Beteiligte Person: Dr. Udo Beierlein