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Verständnis und Steuerung der Abscheidung von Halbleiterfilmen mittels elektrochemischer Ansätze (C04)

Fachliche Zuordnung Festkörper- und Oberflächenchemie, Materialsynthese
Physikalische Chemie von Festkörpern und Oberflächen, Materialcharakterisierung
Förderung Förderung seit 2025
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 538767711
 
Projekt C4 (Ng) verwendet elektrochemische Techniken in einer flüssigen Umgebung, um das Wachstum und die Eigenschaften von Filmen und Strukturen zu untersuchen. Die Rasterkraftmikroskopie (AFM-SECM) wird Einblicke in das Wachstum und die Defektbildung von 2D-Halbleitern liefern. Wir beginnen mit g/sALD-TMDCs (C1) und exfolierten 2D-TMDC-Schichten (S4), gefolgt von organischen Molekülen und funktionalisierten Schichten (C2, C3, F5). Wir untersuchen den Einfluss von Defekten und Strukturmerkmalen auf (photo)elektrochemische Reaktionen und (photo)degradation der Halbleiterschichten (ergänzend zu C5, S1) und testen Modelle für Filmwachstum und Defektbildung (C5, C6, S2-S5, F1, M1-M4).
DFG-Verfahren Sonderforschungsbereiche
Teilprojektleiterin Professorin Dr. Siow Woon Ng, Ph.D., seit 7/2025
 
 

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