Lösungsphasenepitaxie (SPE) von Halbleitern: von Einkristallfilmen zu epitaktischen Halbleiter-Heteroübergängen (F03)

• Fachliche Zuordnung: Festkörper- und Oberflächenchemie, Materialsynthese ; Beschichtungs- und Oberflächentechnik ; Herstellung und Eigenschaften von Funktionsmaterialien
• Förderung: Förderung seit 2025
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 538767711

Projekt F3 erfindet Methoden für das skalierbare Drucken hochwertiger Halbleiter durch Flüssigphasenepitaxie. Auf der Grundleganebene wird das Projekt bestimmen, wie die Partikel in Tinten erzeugt und beim Verdampfen des Lösungsmittels zusammengesetzt werden. Ihre Wechselwirkungen untereinander lateral (mit C6, S3, S5) und mit dem darunterliegenden Substrat (mit C1, C2, C3, C4, F6) werden kontrolliert, um das epitaktische Wachstum zu bestimmen – mit Modellierungsinformationen von M1, M3, M4, M5. In Bezug auf Anwendungen wird der Erfolg der Abscheidungsmethoden anhand quantitativer funktionaler Leistungsparameter mit S4, F1 bewertet.

• DFG-Verfahren: Sonderforschungsbereiche
• Teilprojekt zu: SFB 1719: ChemPrint -- Gedruckte Halbleiter der nächsten Generation: Ingenieurskunst auf atomarer Ebene mittels molekularer Oberflächenchemie
• Antragstellende Institution: Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg
• Teilprojektleiter: Professor Dr. Christoph J. Brabec, seit 7/2025