Modellierung und technologische Co-Optimierung der Oxid-Silizium Grenzfläche für kryogene Anwendungen von MOSFETs

Antragsteller Professor Dr.-Ing. Christoph Jungemann; Professor Dr. Joachim Knoch

Fachliche Zuordnung Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik

Förderung Förderung seit 2026