Steuerung von Ablagerungsort und Morphologie über kovalente und nicht-kovalente Wechselwirkungen (C01)

• Fachliche Zuordnung: Festkörper- und Oberflächenchemie, Materialsynthese ; Physikalische Chemie von Festkörpern und Oberflächen, Materialcharakterisierung
• Förderung: Förderung seit 2025
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 538767711

Projekt C1 zielt darauf ab, die Morphologie der Halbleiterabscheidung durch die Wechselwirkungen zu steuern, die während des sALD-Wachstums zwischen dem Substrat, der festen Schicht und der Flüssigkeit auftreten. Unter Verwendung von Informationen aus M1, M3, M4, M5 und dank selbstassemblierten molekularen Monoslagen aus F6 zur Einstellung der Dichte der Nukleationsstellen und Grenzflächenenergien werden Liganden und Lösungsmittel verwendet, um den Wachstumsmodus von homogen vertikal (Film) zu dreidimensional (halbkugelförmig) oder zweidimensional (planare Flocken) zu lenken. Einzelne Reaktionsschritte werden mit C5, C6, F5 identifiziert, die Struktur und Eigenschaften der Ablagerungen werden mit S1-S5 untersucht.

• DFG-Verfahren: Sonderforschungsbereiche
• Teilprojekt zu: SFB 1719: ChemPrint -- Gedruckte Halbleiter der nächsten Generation: Ingenieurskunst auf atomarer Ebene mittels molekularer Oberflächenchemie
• Antragstellende Institution: Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg
• Teilprojektleiter: Professor Dr. Julien Bachmann, Ph.D.