SPP 1032:  Gruppe III-Nitride und ihre Heterostrukturen: Wachstum, materialwissenschaftliche Grundlagen und Anwendungen

• Subject Area: Physics
• Term: from 1997 to 2003
• Project identifier: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 5467940

The priority programme "Group III-Nitrides" is subdivided into four areas, which deal interactively with the questions of epitaxial growth, materials characterisation, realisation of devices and theoretical modelisation. With the traditional growth techniques MOVPE and MBE simple InGaN and AlGaN heterostructures as well as complex layer structures for device applications should be realized. Equal priority should be given to homoepitaxial growth on quasisubstrates such as free standing HVPE-films and/or templates obtained by lateral epitaxial overgrowth (ELOG). This should lead to a better understanding concerning the correlation between structural quality on one hand and optical and electronical properties on the other hand on the basis of sytematic investigations. Carrier dynamics have to be analized and modelized to resolve the gain and loss mechanisms. Microscopic models for the relevant materials defects should be developed and be supported by theoretical calculations. Electronic (HFET, HBT) and opto-electronic device (LED, laser) realisation has equal importance. Important aspects such as electrical contacts, performance, stability and sources of possible degradation should be investigated including the problematic area of structuring.

• DFG Programme: Priority Programmes

Projects

• Adsorbate und Schottky-Kontakte auf Gruppe III-Nitriden (Applicant Mönch, Winfried )
• AlGaN/GaN-basierende Gas-, Flüssigkeits- und Drucksensoren für hohe Temperaturen und chemisch aggressive Umgebungen (Applicant Stutzmann, Martin )
• Atomistische Untersuchungen zu Stabilität und Eigenschaften von Defekten in Galliumnitrid sowie zur Optimierung von kubischen Gruppe III-Nitrid-Übergittern für optoelektronische Bauelemente (Applicant Frauenheim, Thomas )
• Aufklärung der Einbau- und Kompensationsmechanismen von Störstellen in GaN-Halbleiterstrukturen mittels linearer und nichtlinearer optischer Spektroskopie (Applicant Hoffmann, Axel )
• Bandstruktur und Störstellen in ternären Nitridverbindungen (Applicant Meyer, Bruno Karl )
• Charakterisierung der Kanalstromdispersion in GaN-HFETs im Zeit-, Frequenz- und Temperaturbereich sowie Einfluß der Oberflächenpassivierung. Korrelation mit der Piezo-Dipolladung des verspannten Heterostruktursystems (Applicant Kohn, Erhard )
• Charakterisierung von Heterostrukturen aus Gruppe-III-Nitriden mit resonanter Brillouin- und Rayleighstreuung (Applicant Stolz, Heinrich )
• Dotierung von Galliumnitrid durch Ionenimplantation (Applicant Rauschenbach, Bernd )
• Einfluß von Verspannung, Komposition und Schichtung auf die Eigenschaften von Nitriden: Ab initio Berechnungen (Applicant Bechstedt, Friedhelm )
• Electron microscope analyses of AlGaN/GaN and InGaN/GaN heterostructures. (Applicant Strunk, Horst Paul )
• Elektronenmikroskopische Charakterisierung von Bauelementstrukturen aus Nitrid-Heteroschichten (Applicant Kubalek, Erich )
• Elektronische Transporteigenschaften polarisationsinduzierter, zweidimensionaler Elektronen- und Löchergase in AlInGaN/GaN-basierenden Heterostrukturen hergestellt durch Epitaxie auf freitragenden GaN- bzw. Saphir-Substraten (Applicant Stutzmann, Martin )
• Epitaktisches Wachstum von LEDs und Laserdioden der Gruppe III-Nitride mittels MOVPE und MBE (Applicant Hommel, Detlef )
• Epitaxie auf freitragenden GaN-Substraten (Applicant Stutzmann, Martin )
• Epitaxie von AlN auf Si für akustische Oberflächenwellenbauelemente (Applicant Richter, Wolfgang )
• Gate recessed GaN highpower FETs (Applicant Schweizer, Heinz )
• Generalized infrared ellipsometrie determination of crystal structure and free-carrier properties from complex group III nitride heterostructure (Applicant Rheinländer, Bernd )
• Herstellung und Untersuchung von elektrisch betriebenen AlGaN/GaN/GaInN-DFB-Laserstrukturen (Applicant Schweizer, Heinz )
• Herstellung von GaN/SiC-Heterostrukturen mittels Niederdruck-CVD (Applicant Meyer, Bruno Karl )
• Herstellung von Quasi-Substraten durch laterales epitaktisches Überwachsen (ELOG) mit Chlorhydrid-Gasphasenepitaxie (Applicant Meyer, Bruno Karl )
• Koordinationsfonds im Schwerpunktprogramm (Applicant Stutzmann, Martin )
• Maßgeschneiderte metallorganische Precursoren zur Abscheidung und p-Dotierung (Mg) von GaN (Applicant Fischer, Roland A. )
• MBE-Wachstum von GaN auf einem stark fehlangepaßten Substrat (Applicant Hommel, Detlef )
• Metallorganische Gasphasenepitaxie von Gruppe III-Nitriden mit neuartigen Quellen (Applicant Pohl, Udo W. )
• Mikroskopische Charakterisierung komplexer Gruppe III-Nitridstrukturen mit Kathodolumineszenz und Ramanspektroskopie: Korrelation von strukturellen, elektronischen und optischen Eigenschaften (Applicant Thomsen, Christian )
• Mikroskopische Charakterisierung komplexer Gruppe III-Nitridstrukturen mit Kathodolumineszenz und Ramanspektroskopie: Korrelation von strukturellen, elektronischen und optischen Eigenschaften (Applicant Christen, Jürgen )
• Mikroskopische Charakterisierung von Defekten und Dotieratomen in Galluimnitrid mit Hilfe der Rastertunnelmikroskopie (Applicant Urban, Knut W. )
• MOCVD von (InGaAl)N/GaN Schichtstrukturen auf strukturiertem Silizium-Substrat (Applicant Bimberg, Dieter )
• Modellierung, Simulation und Optimierung der Herstellung von GaN-basierenden heterostruktur Feldeffekttransistoren insbesondere mit InGaN Kanal (Applicant Kohn, Erhard )
• Modellierung von Lumineszenzdioden und Injektionslasern aus Gruppe II-Nitriden (Applicant Brandt, Oliver )
• Modellierung von Lumineszenzdioden und Injektionslasern aus Gruppe III-Nitriden (Applicant Wünsche, Hans-Jürgen )
• Molekularstrahlepitaxie von III-Nitriden: Herstellung und Charakterisierung von GaN-GaAlN-InGaN Quantum Well Strukturen (Applicant Lischka, Klaus )
• Molekularstrahlepitaxie von III-V Nitriden: P-Dotierung kubischer AlyGa1-yN Epitaxieschichten und AlyGa1-yN/GaN Übergitter zur Herstellung optoelektronischer Bauelementstrukturen (Applicant As, Donat Josef )
• Nichtlineare Spektroskopie an Gruppe III-Nitriden (Applicant Fröhlich, Dietmar )
• Optical gain, gain saturation, and waveguiding in nitrite semi-conductors (Applicant Michler, Peter )
• Quantitative Analyse von Elementverteilungen in Gruppe-III-Nitridschichten und ihren Heterostrukturen mittels Elastic Recoil Detection (Applicant Dollinger, Günther )
• Quantitative transmissionselektronenmikroskopische Analyse von Zusammensetzungsfluktuationen in InGaN: Ursachen und Korrelation mit Photolumineszenz (Applicant Gerthsen, Dagmar )
• Rekombinationsprozesse und lokale elektronische Eigenschaften in (Al,Ga,In)N-Heterostrukturen (Applicant Hangleiter, Andreas )
• Schichtstrukturen für GaN basierende Feldeffekttransistoren: Materialherstellung und Charakterisierung (Applicant Ebeling, Karl Joachim )
• Spontane Polarisation in (Al,Ga,In)N-Heterostrukturen (Applicant Hangleiter, Andreas )
• Spontane Rekombination und optische Verstärkung in (Al, Ga, In)N-Heterostrukturen (Applicant Hangleiter, Andreas )
• Streuprozesse und Ladungsträgertransport in sub-mikron III-Nitrid-Heterostrutur-Feldeffekttransistoren (Applicant Vogl, Peter )
• Störstellen und Grenzflächendefekte in auf GaN-basierenden Bauelementestrukturen, untersucht mit elektrischen und photoelektrischen Spektroskopieverfahren (Applicant Witte, Hartmut )
• Surfactant-induziertes Wachstum von GaN-Oberflächen (Applicant Neugebauer, Jörg )
• Synthese, Reinigung und Charakterisierung neuer MOVPE-Quellen zur Abscheidung von Gruppe IIIa-Nitriden (Applicant Schumann, Herbert )
• Theoretische Studien Elektronischer und Struktureller Eigenschaften von Gruppe III-Nitriden sowie ihrer Oberflächen und Grenzflächen (Applicant Pollmann, Johannes )
• Untersuchung der strahlenden und nichtstrahlenden Prozesse in Gruppe III-Nitriden als Mittel zur Aufklärung der Gewinn- und Verlustmechanismen (Applicant Hoffmann, Axel )
• Untersuchung des Wachstumsmechanismus bei der Galliumnitrid-Abscheidung durch Charakterisierung der Gasphase im thermischen MOCVD-Prozeß (Applicant Kohse-Höinghaus, Katharina )
• Untersuchung von Verspannung und Piezoelektrizität in GaInN-GaN-Hetero- und Quantenfilmstrukturen (Applicant Scholz, Ferdinand )
• Untersuchung von Verspannungsphänomenen in GaN-Schichten unter Einsatz hochauflösender Röntgendiffraktometrie bei variabler Meßtemperatur (Applicant Heinke, Heidrun )
• Untersuchungen zum Zerfall metallorganischer Einkomponenten-Vorläufermoleküle mittels Matrix-Tieftemperatur-Isolation (Applicant Müller, Jens )
• Verspannte AlGaN/InGaN Doppelheterostrukturen auf 6H-SiC: Struktur, elektrische Eigenschaften und HEMT Anwendungen (Applicant Gerthsen, Dagmar )
• Verspannte AlGaN/InGaN Doppelheterostrukturen auf 6H-SiC: Struktur, elektrische Eigenschaften und HEMT Anwendungen (Applicant Rizzi, Angela )
• Wachstum von Gruppe III-Nitrid Bauelementen auf Silizium Substraten (Applicant Krost, Alois )

• Spokesperson: Professor Dr. Bruno Karl Meyer (†)
• Deputy: Professor Dr. Martin Stutzmann